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MDT10F630与PIC16F630的差异

来源:美芯微电子  发布时间:2016-08-26  浏览次数:1085

一、MDT10F630与PIC16F630的差异

         1、用外部晶振时,MDT10F630需要设置90H寄存器,并在烧录选项选择相应的晶振模式,PIC16F630通过烧录选项设置震荡类型。

QQ截图20160913114034.jpg

                                 Bit6-4:普通寄存器位

                                 ECKIN:外部时钟输入使能位

                                         0=不使能震荡器外部输入时钟

                                         1=使能振荡器外部时钟输入(外部RC震荡必须置1)

                                0S02E:内部和外部震荡器使能位

                                          0=只能用内部或外部振荡器

                                          1=使能内部和外部(仅LF模式)振荡器

                                OSC2O:OSC2/PA4 振荡器时钟输入使能位:

                                          0=在内部或外部RC模式震荡模式下不使能OSC2/PA4时钟输出

                                          1=在内部或外部RC模式震荡模式下使能OSC2/PA4时钟输出

                                 OSCIN:MCU内部或外部震荡器选择:

                                          0=默认的MCU时钟基于内部4MHz振荡器

                                          1=MCU时钟基于外部振荡器(通过OPTION选择类型)

                                               当内部4MHz振荡器变成外部振荡器时,必须等OST时间20MS

注解:

           当Bit被为设定为“0”内部振荡器与外部振荡只有一种振荡会Enable

           当Bit被为设定为“1”内部振荡与外部振荡会同时EnabIe,而外部振荡模式强设为LF type.

           Bit3为设定外灌clocK模式,PA4/OSC2 pin会被强制为I/O无法作clock output

           当bit3&bit0同时被设定为“1”内部振荡将会停止,IC的系统 clock必须由PA5/OSCi pin直接给脉波才能动作

1.jpg

2、PIC16F630的/MCLR功能可能通过烧录选择设置,而MDT10F630的/MCLR功能须选用MDT10F630P13 or MDT10F630S13包装,则外部/MCLR的封装。无法通过烧录选择。

3、MDT10F630无Brown-out功能

4、其它使用方式一样

二、PIC16F630 烧录档转成 MDT10F630

由于两者设置内外部振荡器的方法不同,MDT 需要用 90H 来设置振荡方式,而 PIC16F630 的 90H
是用来校正内部频率的,有的程序 90H 会被设一些值,有的无任何设置。所以 PIC16F630 烧录档转至
10F630 时,需要特别注意 90H 的设置。
如果有 ASM 档,在 ASM 档里按 10F630 规格修改 90H 值,再重新编译则可。
如果只有烧录档,就需要想办法把设置 90H 的指令加进去或修改原烧录档中 90H 的参数。
下面举例说明将设置 90H  参数加到烧录档里:
烧录档 16F630。HEX,要求用外部振荡 455K,则 LF 振荡模式。
步骤:
1、  用 MDT 烧写器软件打开 16F630。HEX,反编译:

 IST3HYB`]2S8(E]UKVHJHUV.png

2、保存反编译文档

[PP8}G6JJW7)8DS{}L(0OKP.png

3、用 WORD 打开反编译文档,查找 10H,注意当 STATUS,5=1 时,10H 就是 90H,有的 10H 不是
表示寄存器而是地址或立即数,要注意辩认。

16F]HBCG%K34RJFLVYK]7RU.png

4、该程序查找的结果是没有对 90H 设置的,按 MDT10F630 规格书要求:LF 需要将 90H 设为
00000011B,则 0DH,所以先找 ROM 中没有写代码的地方,如地址 380H,将把指令填在此处。

E[A14DIMT]WDJAN~`)]E0XH.png

5、开始填写指令,用鼠标双击需要填写的地方,弹出对话框,我们需要在 380H 填指令,所以在 MCU
复位地址 0000H 处先填上 LJUMP 380H,则如下图对话框中的 2B80,使程序跑到 380H 处。

K@5RR}~@W@QG~`(QK0)ZI{8.png

6、再到 380H 处,填上如下数据,则
BSR STATUS,5  ;
LDWI 03H  ;
STWR 10H ;
BCR  STATUS,5  ;
LJUMP 200H  ;千万别忘了,跳回原本应复位的地址 200H

8L@3NJXJ~3OGH87N8VPJ[CV.jpg

7、反编译检查填写无误后,保存成 MDT 烧录档,如上图。
8、最后再提醒一下,如果原代码中有设置 90H 的,修改原设置参数则可;有多处设置 90H 的(一般不
会出现),则只保留上电复位时的设置,其它的设置删掉。

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